4英寸碳化硅基氮化鎵外延片廠家價格結構

蘇州恒邁瑞公司供應4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片，GaN-on-SiC結合了碳化硅優異的導熱性和GaN高功率密度、低損耗能力，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行，結溫將隨RF功率緩慢升高，RF性能更好，目前多數GaN射頻器件的襯底都是碳化硅。受限于SiC襯底，目前尺寸仍然限制在4寸與6寸，8寸還沒有推廣。GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射頻器件。

GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。GaN高效率、低損耗與高頻率的材料特性使其在消費電子充電器、電源適配器等領域具有相當的滲透潛力。快充帶動GaN功率器件應用，與傳統充電器相比，相同功率下的GaN充電器體積更小，質量更輕攜帶便利。GaN充電器充電功率大，充電速度快，可滿足多臺設備同時充電的場景需求，且價格相對便宜。在電源適配器、無線充電應用中， GaN器件關斷速度快、開關頻率高、無反向恢復損失、低傳導損耗的特點可以得到充分發揮，逐步取代原有電源適配器中Si MOSFET趨勢明顯。GaN的“雙高”特性在高性能消費電子設備中滲透潛力巨大，可滿足快速充電與充電保護的場景要求。具體應用場景主要包括：PD快充、電源適配器、無線充電、過電壓保護 OVP等。