|
聯(lián)系方式
加關(guān)注0
西安智盈電氣科技有限公司普通會(huì)員第2年
資料通過認(rèn)證
|
||||||||||||||||||||||||||||||
產(chǎn)品分類
產(chǎn)品推薦
￥110000.00/件 功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備 
￥110000.00/件 功率器件雪崩能量測(cè)試系統(tǒng) 
￥110000.00/件 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 
￥110000.00/件 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 
￥11000.00/件 晶閘管阻斷特性測(cè)試儀 
￥110000.00/件 分立器件測(cè)試儀 可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。
本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。
本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。
1. 引用標(biāo)準(zhǔn)[濱1]
GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管
JB/T 7624-2013 整流二極管測(cè)試方法
JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測(cè)試方法
以及國(guó)標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。
2. 技術(shù)要求
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 | |
1 | 常規(guī)開通 | 通態(tài)電流 | 范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)； | |
主電容電壓 | 范圍：300-7000V，連續(xù)可調(diào)； | |||
導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍 | 10μs-5ms | |||
上升時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
開通反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
開通延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
開通能量測(cè)量范圍 | 0.01-200J±3%±0.1J | |||
開通di/dt測(cè)量范圍 | 10-5000A/μs±3%±10A/μs | |||
2 | 常規(guī)關(guān)斷 | 關(guān)斷電流 | 范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)； | |
關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
關(guān)斷延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-40μs±3%±0.05μs | |||
關(guān)斷能量測(cè)量范圍 | 0.01-1000J±3%±0.1J | |||
斷態(tài)電壓上升率測(cè)量范圍 | 10-5000V/μs±3%±10V/μs | |||
斷態(tài)電流下降率測(cè)量范圍 | 10-10000A/μs±3%±10A/μs | |||
*主回路寄生電感 | ≤300nH | |||
3 | 極限關(guān)斷 | 關(guān)斷電流 | 范圍：＜20000A； | 設(shè)備能力 |
4 | 數(shù)據(jù)采集和處理單元 | 示波器 | 帶寬不低于500MHz，采樣率不低于6.5Gs/s | |
試品控制方式 | 光纖控制 |
2.1. 自動(dòng)恒溫壓力夾具
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 |
1 | 工作方式 | 自動(dòng)，氣動(dòng) | |
2 | 壓力范圍 | 10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。 | |
3 | 溫度控制范圍 | 70～180℃，分辨率0.1℃；
| 高壓陽(yáng)極控溫器采用非接觸式測(cè)溫 |
(天津科研院所)
| 注冊(cè)年份 | 2019 |
| 熱銷產(chǎn)品 | 經(jīng)營(yíng)范圍包括一般項(xiàng)目：先進(jìn)電力電子裝置銷售；電力電子元器件制造；電力電子元器件銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體分立器件銷售；電子測(cè)量?jī)x器制造；機(jī)械電氣設(shè)備制造；集成電路芯片及產(chǎn)品制造；工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)裝置制造；工業(yè)控制計(jì)算機(jī)及系統(tǒng)制造；電子專用設(shè)備制造；供應(yīng)用儀器儀表制造；鐵路專用測(cè)量或檢驗(yàn)儀器制造；繪圖、計(jì)算及測(cè)量?jī)x器制造；鐵路專用測(cè)量或檢驗(yàn)儀器銷 |
| 公司簡(jiǎn)介 | 西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試 等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 ；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍... |
| 更新信息 | 快采購(gòu)網(wǎng)供應(yīng)商西安智盈電氣科技有限公司供應(yīng)可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備，為您提供詳細(xì)的產(chǎn)品報(bào)價(jià)、參數(shù)、圖片等商品信息，本產(chǎn)品于2025-11-14 09:22更新，主要更新內(nèi)容為：產(chǎn)品類別、產(chǎn)品參數(shù)、產(chǎn)品價(jià)格、產(chǎn)品圖片等信息。如需進(jìn)一步了解可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備詳細(xì)信息，請(qǐng)與廠家直接聯(lián)系，并說明是在快采購(gòu)網(wǎng)看到這條商機(jī)的。 |
晶閘管、IGCT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)智盈電氣科技
功率器件雪崩能量測(cè)試系統(tǒng)
供應(yīng)可控硅靜態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)
晶閘管模塊可靠性測(cè)試儀
ZY-DBC-102 IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備智盈電氣科技
ZY-1500R IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
DBC-249 高溫阻斷 測(cè)試系統(tǒng)西安智盈電氣半導(dǎo)體測(cè)試
晶閘管阻斷特性測(cè)試儀
功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備智盈電氣科技半導(dǎo)體測(cè)試
功率器件高反壓反向恢復(fù)測(cè)試系統(tǒng)
