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西安智盈電氣科技有限公司普通會(huì)員第2年
資料通過認(rèn)證
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產(chǎn)品分類
產(chǎn)品推薦
￥110000.00/件 功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備 
￥110000.00/件 功率器件雪崩能量測(cè)試系統(tǒng) 
￥110000.00/件 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 
￥110000.00/件 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 
￥11000.00/件 晶閘管阻斷特性測(cè)試儀 
￥110000.00/件 分立器件測(cè)試儀 系統(tǒng)概念
IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模塊，是先進(jìn)的混合集成功率器件， 不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過電壓，過電流和過熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到CPU。 該系統(tǒng)在解決了IPM 的控制信號(hào)源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)的條件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)，選擇中心對(duì)準(zhǔn) SPWM 波形作為IPM控制信號(hào)源，檢測(cè)IPM 的開關(guān)特性參數(shù)以及電壓電流諧波特性，并對(duì)器件的故障信息給予判斷處理。
測(cè)試功能
測(cè)試范圍 | 測(cè)試參數(shù) |
IPM | BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, VEC, Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt, T_MEAS, V_MEAS |
IGBT | ICES BVCES IGES VF VGEON VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT) |
DIODE | VF-Temp,Temp, VF revision |
參數(shù)指標(biāo)
靜態(tài)參數(shù) | 上橋參數(shù) | 動(dòng)態(tài)參數(shù) |
上橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(Ices-H) | 集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V | |
上橋IGBT/FRD耐壓測(cè)試(Bvce-H) | 集電極電流/Ice： 10～75A/±3%/1A | |
上橋驅(qū)動(dòng)IC低端靜態(tài)電流測(cè)試(IDH) | VD=VBS=15V/±3%/0.1V | |
上橋驅(qū)動(dòng)IC高端靜態(tài)工作電流測(cè)試（Iqbs-U V W） | VIN=0～5V/±3%/0.1V | |
上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVbsd-U V W） | ton-L : 10～500nS/±3%/1nS | |
上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W） | tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS | |
上橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓測(cè)試（Vth（on）-UH VH WH） | toff-L: 50～500nS/±3%/1nS | |
上橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓測(cè)試（Vth（off）-UH VH WH） | tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS | |
上橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UH VH WH） | Trr-L :10～500nS/±3%/1nS | |
上橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UH VH WH) | Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ | |
Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ | ||
下橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試（Ices-L） | 下橋參數(shù) | 集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V |
下橋驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)工作電流測(cè)試（IDL） | 集電極電流/Ice:10～75A/±3%/1A | |
故障輸出電壓測(cè)試（Vfoh Vfol） | VD=VBS=15V/±3%/0.1V | |
過流保護(hù)閾值電壓測(cè)試（Vcin（ref）） | VIN=0～5V/±3%/0.1V | |
下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVdd）VD=VBS=15V | on-L : 10～500nS/±3%/1nS | |
下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVdr） | tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS | |
下橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓（Vth（on）-UL VL WL） | toff-L: 50～500nS/±3%/1nS | |
下橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓（Vth（off）-UL VL WL） | tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS | |
下橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UL VL WL） | Trr-L :10～500nS/±3%/1nS | |
下橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UL VL WL) | Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ | |
Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
| 注冊(cè)年份 | 2019 |
| 熱銷產(chǎn)品 | 經(jīng)營(yíng)范圍包括一般項(xiàng)目：先進(jìn)電力電子裝置銷售；電力電子元器件制造；電力電子元器件銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體分立器件銷售；電子測(cè)量?jī)x器制造；機(jī)械電氣設(shè)備制造；集成電路芯片及產(chǎn)品制造；工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)裝置制造；工業(yè)控制計(jì)算機(jī)及系統(tǒng)制造；電子專用設(shè)備制造；供應(yīng)用儀器儀表制造；鐵路專用測(cè)量或檢驗(yàn)儀器制造；繪圖、計(jì)算及測(cè)量?jī)x器制造；鐵路專用測(cè)量或檢驗(yàn)儀器銷 |
| 公司簡(jiǎn)介 | 西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試 等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 ；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍... |
| 更新信息 | 快采購(gòu)網(wǎng)供應(yīng)商西安智盈電氣科技有限公司供應(yīng)ZY-DBC-102 IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備智盈電氣科技，為您提供詳細(xì)的產(chǎn)品報(bào)價(jià)、參數(shù)、圖片等商品信息，本產(chǎn)品于2025-11-14 09:22更新，主要更新內(nèi)容為：產(chǎn)品類別、產(chǎn)品參數(shù)、產(chǎn)品價(jià)格、產(chǎn)品圖片等信息。如需進(jìn)一步了解ZY-DBC-102 IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備智盈電氣科技詳細(xì)信息，請(qǐng)與廠家直接聯(lián)系，并說(shuō)明是在快采購(gòu)網(wǎng)看到這條商機(jī)的。 |
DBC-029D 功率器件阻斷特性測(cè)試系統(tǒng)西安智盈電氣科技
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
功率器件雪崩能量測(cè)試系統(tǒng)
可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備
ZY-IFSM-40K IGCT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)西安智盈電氣
功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)
DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合測(cè)試設(shè)備
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體測(cè)試智盈電氣科技
二極管正向浪涌測(cè)試設(shè)備
DBC-249 高溫阻斷 測(cè)試系統(tǒng)西安智盈電氣半導(dǎo)體測(cè)試
