半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的蕞佳工具之一是大功率分立器件靜態測試系統，普賽斯半導體分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476

系統特點和優勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標全指標的自動化測試；

系統指標

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容     

續流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 
普賽斯大功率分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。 

PMST系列功率器件靜態參數測試系統，是普賽斯儀表經過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態參數測試解決方案還支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現高效和可重復的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產品解決了國內企業在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產化問題，并在客戶IGBT產線上推出了多條測試示范線，引領了國內IGBT測試的技術潮流。

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